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RQ3L050GNTB

¥5.98
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs61mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 25μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)14.8W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-HSMT (3.2x3)
Package / Case8-PowerVDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RQ3L050GNTB

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