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STH310N10F7-2

¥43.49
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12800 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)315W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageH2Pak-2
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STH310N10F7-2

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