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CSD16570Q5BT

¥19.37
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.59mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14000 pF @ 12 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.2W (Ta), 195W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-VSONP (5x6)
Package / Case8-PowerTDFN

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 CSD16570Q5BT

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