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CSD19537Q3

¥9.22
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1680 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.8W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Package / Case8-PowerTDFN

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產品 CSD19537Q3

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