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CSD17309Q3

¥7.92
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 18A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.7V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)+10V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1440 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.8W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Package / Case8-PowerTDFN

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 CSD17309Q3

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