STPSC10H12B-TR1
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DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK
| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 μA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr, F | 725pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
新聞資訊
STMicroelectronics 單二極管 產(chǎn)品 STPSC10H12B-TR1
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