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QS6J1TR

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

參數名稱參數值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V
Power - Max1.25W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產品 QS6J1TR

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