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SH8J31GZETB

¥12.67
FET、MOSFET 陣列

60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
Technology-
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 10V
Power - Max2W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 SH8J31GZETB

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