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STS10DN3LH5

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

參數名稱參數值
Product StatusNot For New Designs
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds475pF @ 25V
Power - Max2.5W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

新聞資訊

STMicroelectronics FET、MOSFET 陣列 產品 STS10DN3LH5

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