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QS8J4TR

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MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

參數名稱參數值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 10V
Power - Max550mW
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

新聞資訊

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