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US6M2TR

¥4.82
FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

參數名稱參數值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A, 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 10V
Power - Max1W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device PackageTUMT6

新聞資訊

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