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PD20010-E

¥0.00
RF FET、MOSFET

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
TechnologyLDMOS
Configuration-
Frequency2GHz
Gain11dB
Voltage - Test13.6 V
Current Rating (Amps)5A
Noise Figure-
Current - Test150 mA
Power - Output10W
Voltage - Rated40 V
Mounting Type-
Package/ CasePowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Supplier Device PackagePowerSO-10RF (Formed Lead)

新聞資訊

STMicroelectronics RF FET、MOSFET 產(chǎn)品 PD20010-E

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