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CSD18563Q5A-P

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單 FET、MOSFET

60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 93A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.2W (Ta), 116W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-VSON (5x6)
Package/ Case8-PowerTDFN

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 CSD18563Q5A-P

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