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CSD18537NQ5A-P

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單 FET、MOSFET

PROTOTYPE

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 54A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1480 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.2W (Ta), 75W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-VSON (5x6)
Package/ Case8-PowerTDFN

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產品 CSD18537NQ5A-P

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