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STS8C5H30L

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC

參數名稱參數值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A, 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds857pF @ 25V
Power - Max2W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

新聞資訊

STMicroelectronics FET、MOSFET 陣列 產品 STS8C5H30L

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