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TT8M2TR

¥2.58
FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusNot For New Designs
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 10V
Power - Max1.25W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package8-TSST

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 TT8M2TR

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