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CSD86336Q3DT

¥13.32
FET、MOSFET 陣列

SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate, 5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 250μA, 1.6V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Power - Max6W
Operating Temperature-55°C ~ 125°C
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-VSON (3.3x3.3)

新聞資訊

Texas Instruments FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 CSD86336Q3DT

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