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SH8JE5TB1

¥17.57
FET、MOSFET 陣列

-100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,

參數名稱參數值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel
FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2100pF @ 50V
Power - Max2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產品 SH8JE5TB1

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