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QS8J1TR

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

參數名稱參數值
Product StatusNot For New Designs
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2450pF @ 6V
Power - Max1.5W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產品 QS8J1TR

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