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BSM080D12P2C008

¥2753.86
FET、MOSFET 陣列

SIC POWER MODULE-1200V-80A

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 13.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 10V
Power - Max600W
Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Package/ CaseModule
Supplier Device PackageModule

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 BSM080D12P2C008

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