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SP8M4HZGTB

¥17.57
FET、MOSFET 陣列

30V DUAL NCH+PCH POWER MOSFET. S

參數名稱參數值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Power - Max1.4W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產品 SP8M4HZGTB

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