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QH8KC6TCR

¥8.64
FET、MOSFET 陣列

60V 5.5A, DUAL NCH+NCH, TSMT8, S

參數名稱參數值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 30V
Power - Max1.1W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產品 QH8KC6TCR

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