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US6K2TR

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

參數名稱參數值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds70pF @ 10V
Power - Max1W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device PackageTUMT6

新聞資訊

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