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EM6M2T2R

¥3.82
FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 200mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 10V
Power - Max150mW
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageEMT6

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 EM6M2T2R

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