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QS8K11TCR

¥6.62
FET、MOSFET 陣列

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
Technology-
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 10V
Power - Max1.5W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 QS8K11TCR

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