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STI100N10F7

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)150W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageI2PAK (TO-262)
Package/ CaseTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STI100N10F7

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