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RS1E260ATTB1

¥21.31
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs175 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7850 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-HSOP
Package/ Case8-PowerTDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RS1E260ATTB1

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