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RUM002N02T2L

¥2.66
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3

參數(shù)名稱(chēng)參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageVMT3
Package/ CaseSOT-723

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RUM002N02T2L

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