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SCT3080ALGC11

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單 FET、MOSFET

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 18 V
Vgs (Max)+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds571 pF @ 500 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)134W (Tc)
Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247N
Package/ CaseTO-247-3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 SCT3080ALGC11

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