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SCT3022KLGC11

¥376.92
單 FET、MOSFET

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C95A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 18.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs178 nC @ 10 V
Vgs (Max)+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2879 pF @ 800 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)427W
Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247N
Package/ CaseTO-247-3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 SCT3022KLGC11

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