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RGT8NS65DGC9

¥15.91
單 IGBT

IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262

參數名稱參數值
Product StatusActive
IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A
Power - Max65 W
Switching Energy-
Input TypeStandard
Gate Charge13.5 nC
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Supplier Device PackageTO-262

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 IGBT 產品 RGT8NS65DGC9

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